32pt 5/12/24VCC E/S discrètes à drain ouvert IC660BBD025 GE Genius

Présentation du produit

Le GE IC660BBD025 est un bloc d’E/S discrètes Genius à 32 circuits, fonctionnant en logique sink à 5/12/24 V CC. Les circuits sont configurables en entrées ou en sorties et prennent en charge les signaux de niveau TTL, ce qui le rend adapté aux E/S distribuées basse tension à haute densité.

Caractéristiques techniques

• Circuits : 32 E/S configurables
• Tension : 5/12/24 V CC (compatible TTL)
• Logique : sink
• Courant de sortie : classe de 0,5 A par circuit
• Courant d’appel : classe de 4 A pendant 10 ms
• Isolation : classe de 850 V
• Réseau : bus Genius
• Système : E/S GE Genius

Caractéristiques principales

• E/S discrètes haute densité à 32 points
• Prend en charge les niveaux TTL de 5 V jusqu’à 24 V CC
• Entrée ou sortie configurable pour chaque circuit
• Bus Genius et port HHM intégrés

FAQ

• Points ? 32.
• Tension ? 5/12/24 V CC.
• Logique ? Sink.

Guide d’installation

1. Montez l’ensemble complet du bloc.
2. Connectez le bus Genius et l’alimentation de terrain.
3. Configurez chaque circuit comme entrée ou sortie.
4. Câblez les appareils de terrain selon le niveau de tension sélectionné.
5. Mettez sous tension et vérifiez les voyants d’état ainsi que les diagnostics.

Conseils de sélection

• Idéal pour les applications discrètes basse tension à haute densité.
• Vérifiez le budget de courant total et les limites de longueur de câble.
• Pièce de rechange utile pour les nœuds sink Genius à 32 points.