GE
Niskie zasoby: 10 lewy
32pt 5/12/24VDC, wejścia/wyjścia dyskretne typu sink, układ scalony IC660BBD025 GE Genius
32pt 5/12/24VDC, wejścia/wyjścia dyskretne typu sink, układ scalony IC660BBD025 GE Genius
Manufacturer: GE
Product No.: IC660BBD025
Product Type: Blok dyskretnych wejść/wyjść
Product Origin: USA
Payment: T/T
Weight: 1800g
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months
Przegląd produktu
GE IC660BBD025 to 32-obwodowy blok dyskretnych wejść/wyjść Genius, działający przy napięciu 5/12/24 V DC w logice sink. Obwody można konfigurować jako wejścia lub wyjścia i obsługują sygnały na poziomie TTL, dzięki czemu blok nadaje się do stosowania w rozproszonych układach wejść/wyjść o dużej gęstości i niskim napięciu.
Specyfikacja techniczna
- Obwody: 32 konfigurowalne wejścia/wyjścia
- Napięcie: 5/12/24 V DC (zgodne z TTL)
- Logika: sink
- Prąd wyjściowy: klasa 0,5 A na obwód
- Prąd rozruchowy: klasa 4 A przez 10 ms
- Izolacja: klasa 850 V
- Sieć: Genius Bus
- System: GE Genius I/O
Najważniejsze cechy
- Wysokiej gęstości, 32-punktowe dyskretne wejścia/wyjścia
- Obsługa napięć od 5 V TTL do 24 V DC
- Konfigurowanie każdego obwodu jako wejścia lub wyjścia
- Zintegrowane magistrala Genius Bus i port HHM
FAQ
- Liczba punktów? 32.
- Napięcie? 5/12/24 V DC.
- Logika? Sink.
Instrukcja instalacji
- Zamontuj kompletny zespół bloku.
- Podłącz magistralę Genius Bus i zasilanie obwodów polowych.
- Skonfiguruj każdy obwód jako wejście lub wyjście.
- Podłącz urządzenia polowe odpowiednio do wybranego poziomu napięcia.
- Włącz zasilanie i sprawdź diody LED stanu oraz diagnostykę.
Wskazówki dotyczące wyboru
- Idealny do dyskretnych zastosowań niskonapięciowych o dużej gęstości.
- Potwierdź całkowity budżet prądowy i limity długości przewodów.
- Przydatny jako zapasowy moduł do 32-punktowych węzłów sink Genius.
