Przejdź do informacji o produkcie
1 z 3

GE

Niskie zasoby: 10 lewy

32pt 5/12/24VDC, wejścia/wyjścia dyskretne typu sink, układ scalony IC660BBD025 GE Genius

32pt 5/12/24VDC, wejścia/wyjścia dyskretne typu sink, układ scalony IC660BBD025 GE Genius

  • Manufacturer: GE

  • Product No.: IC660BBD025

  • Product Type: Blok dyskretnych wejść/wyjść

  • Product Origin: USA

  • Payment: T/T

  • Weight: 1800g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Przegląd produktu

GE IC660BBD025 to 32-obwodowy blok dyskretnych wejść/wyjść Genius, działający przy napięciu 5/12/24 V DC w logice sink. Obwody można konfigurować jako wejścia lub wyjścia i obsługują sygnały na poziomie TTL, dzięki czemu blok nadaje się do stosowania w rozproszonych układach wejść/wyjść o dużej gęstości i niskim napięciu.

Specyfikacja techniczna

  • Obwody: 32 konfigurowalne wejścia/wyjścia
  • Napięcie: 5/12/24 V DC (zgodne z TTL)
  • Logika: sink
  • Prąd wyjściowy: klasa 0,5 A na obwód
  • Prąd rozruchowy: klasa 4 A przez 10 ms
  • Izolacja: klasa 850 V
  • Sieć: Genius Bus
  • System: GE Genius I/O

Najważniejsze cechy

  • Wysokiej gęstości, 32-punktowe dyskretne wejścia/wyjścia
  • Obsługa napięć od 5 V TTL do 24 V DC
  • Konfigurowanie każdego obwodu jako wejścia lub wyjścia
  • Zintegrowane magistrala Genius Bus i port HHM

FAQ

  • Liczba punktów? 32.
  • Napięcie? 5/12/24 V DC.
  • Logika? Sink.

Instrukcja instalacji

  1. Zamontuj kompletny zespół bloku.
  2. Podłącz magistralę Genius Bus i zasilanie obwodów polowych.
  3. Skonfiguruj każdy obwód jako wejście lub wyjście.
  4. Podłącz urządzenia polowe odpowiednio do wybranego poziomu napięcia.
  5. Włącz zasilanie i sprawdź diody LED stanu oraz diagnostykę.

Wskazówki dotyczące wyboru

  • Idealny do dyskretnych zastosowań niskonapięciowych o dużej gęstości.
  • Potwierdź całkowity budżet prądowy i limity długości przewodów.
  • Przydatny jako zapasowy moduł do 32-punktowych węzłów sink Genius.
Zobaczyć szczegołowy opis